8541.10 | -Diodos, excepto los fotodiodos y los diodos emisores de luz (LED) | | | | |
8541.10.1 | Sin montar | | | | |
8541.10.11 | Zener | | | | |
8541.10.11.000K | Zener | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.12 | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.10.12.000T | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.19 | Los demás | | | | |
8541.10.19.000W | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.2 | Montados, aptos para montaje en superficie (SMD - «Surface Mounted Device») | | | | |
8541.10.21 | Zener | | | | |
8541.10.21.000V | Zener | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.22 | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.10.22.000C | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.29 | Los demás | | | | |
8541.10.29.000F | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.3 | Montados, aptos para montaje por insercion (PTH - <Pin Through Hole>) | | | | |
8541.10.31 | Zener | | | | |
8541.10.31.000E | Zener | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.32 | Los demas, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.10.32.000M | Los demas, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.39 | Los demas | | | | |
8541.10.39.000Q | Los demas | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.9 | Los demás | | | | |
8541.10.91 | Zener | | | | |
8541.10.91.000N | Zener | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.92 | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.10.92.000W | Los demás, de intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.10.99 | Los demás | | | | |
8541.10.99.000Z | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.2 | -Transistores, excepto los fototransistores: | | | | |
8541.21 | —Con una capacidad de disipación inferior a 1 W | | | | |
8541.21.10 | Sin montar | | | | |
8541.21.10.000D | Sin montar | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.21.20 | Montados, aptos para montaje en superficie (SMD - “Surface Mounted Device”) | | | | |
8541.21.20.000N | Montados, aptos para montaje en superficie (SMD - “Surface Mounted Device”) | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.21.9 | Los demás | | | | |
8541.21.91 | De efecto de campo, con juntura heterogénea (HJFET o HEMT) | | | | |
8541.21.91.000P | De efecto de campo, con juntura heterogénea (HJFET o HEMT) | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.21.99 | Los demás | | | | |
8541.21.99.000A | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.29 | —Los demás | | | | |
8541.29.10 | Sin montar | | | | |
8541.29.10.000Z | Sin montar | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.29.20 | Montados | | | | |
8541.29.20.000J | Montados | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.30 | -Tiristores, diacs y triacs, excepto los dispositivos fotosensibles | | | | |
8541.30.1 | Sin montar | | | | |
8541.30.11 | De intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.30.11.000N | De intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.30.19 | Los demás | | | | |
8541.30.19.000Z | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.30.2 | Montados | | | | |
8541.30.21 | De intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | | | | |
8541.30.21.000Y | De intensidad de corriente inferior o igual a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.30.29 | Los demás | | | | |
8541.30.29.100P | Tiristores, para una intesidad de corriente superior a 3 A | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.30.29.900H | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.4 | -Dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las celulas fotovoltaicas, aunque esten ensambladas en modulos o paneles; diodos emisores de luz (LED): | | | | |
8541.41 | —Diodos emisores de luz (LED) | | | | |
8541.41.1 | Sin montar | | | | |
8541.41.11 | Diodos emisores de luz (LED), excepto diodos laser | | | | |
8541.41.11.000P | Diodos emisores de luz (LED), excepto diodos laser | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.41.12 | Diodos laser | | | | |
8541.41.12.000X | Diodos laser | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.41.2 | Montados | | | | |
8541.41.21 | Diodos emisores de luz (LED), excepto diodos laser, aptos para montaje en superficie (SMD - <Surface Mounted Device>) | | | | |
8541.41.21.000Z | Diodos emisores de luz (LED), excepto diodos laser, aptos para montaje en superficie (SMD - <Surface Mounted Device>) | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.41.22 | Los demas emisores de luz (LED), excepto diodos laser | | | | |
8541.41.22.000G | Los demas emisores de luz (LED), excepto diodos laser | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.41.23 | Diodos laser con longitud de onda de 1.300 nm o 1.500 nm | | | | |
8541.41.23.000P | Diodos laser con longitud de onda de 1.300 nm o 1.500 nm | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.41.24 | Los demas diodos laser | | | | |
8541.41.24.000X | Los demas diodos laser | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.42 | —Celulas fotovoltaicas sin ensamblar en modulos ni paneles | | | | |
8541.42.10 | Celulas solares organicas | | | | |
8541.42.10.000U | Celulas solares organicas | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.42.20 | Las demas celulas solares | | | | |
8541.42.20.000D | Las demas celulas solares | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.42.90 | Las demas | | | | |
8541.42.90.000X | Las demas | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00 | —Celulas fotovoltaicas ensambladas en modulos o paneles | | | | |
8541.43.00.100B | Modulos o paneles, de fotodiodos | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.2 | Modulos o paneles, de celulas solares | | | | |
8541.43.00.210K | De potencia maxima de generacion superior o igual a 1 W pero inferior o igual a 9 W | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.220N | De potencia máxima de generaci?n superior a 9 W pero inferior o igual a 19 W | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.230R | De potencia máxima de generaci?n superior a 19 W pero inferior o igual a 29 W | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.240V | De potencia máxima de generaci?n superior a 29 W pero inferior o igual a 34 W | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.250Y | De potencia máxima de generaci?n superior a 34 W pero inferior o igual a 44 W | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.29 | Los demas | | | | |
8541.43.00.291N | De potencia maxima de generacion superior a 180 W | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.299F | Los demás | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.43.00.900V | Las demas | 10.8 | 0 | 0 | 5 |
8541.49.00 | —Los demas | | | | |
8541.49.00.000T | —Los demas | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.5 | -Los demas dispositivos semiconductores: | | | | |
8541.51.00 | —Transductores basados en semiconductores | | | | |
8541.51.00.000L | —Transductores basados en semiconductores | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.59.00 | —Los demas | | | | |
8541.59.00.000G | —Los demas | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.60 | -Cristales piezoeléctricos montados | | | | |
8541.60.10 | De cuarzo, de frecuencia superior o igual a 1 MHz pero inferior o igual a 100 MHz | | | | |
8541.60.10.000Y | De cuarzo, de frecuencia superior o igual a 1 MHz pero inferior o igual a 100 MHz | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.60.90 | Los demás | | | | |
8541.60.90.000B | Los demás | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.90 | -Partes | | | | |
8541.90.10 | Soportes conectores presentados en tiras (“lead frames”) | | | | |
8541.90.10.000Q | Soportes conectores presentados en tiras (“lead frames”) | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.90.20 | Cubiertas para encapsulamiento (cápsulas) | | | | |
8541.90.20.000A | Cubiertas para encapsulamiento (cápsulas) | 0 | 0 | 0 | 5 |
8541.90.90 | Las demás | | | | |
8541.90.90.000U | Las demás | 0 | 0 | 0 | 5 |